BL8530C BL8530C是一种采用CMOS工艺生产的PFM升压型DC/DC驱动电路。最少只要外接四个

器件就可以构建成升压电路：一个功率MOS管，一个电感，一个肖特基二极管和一个滤

波电容。输入电压范围为0.8V~6V，待机电流可低至1uA，无负载静态电流典型值仅

20uA，主振荡器工作频率350KHz，根据所选型号可输出2.5V~6.0V恒定电压，精度高达

±2%，温度系数100ppm/℃，可广泛应用于各类电池供电的便携电子设备。

1 U1 BL8530C-502RN(SOT23-5), BL8530C-502RM(SOT23-3)

BL8530C-602RN(SOT23-5), BL8530C-602RM(SOT23-3)

2 Q1 AO3418 N 沟道MOSFET

3 L1 4.7uH 低ESR 功率电感，要求直流电阻小与0.1Ω

4 D1 1N5817 肖特基二极管

5 Cin 10uF/10V 电解电容

6 Cout 100uF/16V 钽电容

7 R1 10KΩ电阻

8 D2 发光二极管

本手机应急充器具有线路简单，效率高的特点, 双AA 电池供电时充电电流可

达500mA，效率大于80%，充电时发光二极管会点亮。采用BL8530C-502RN/RM 时

输出为5V，可应用于充电电压为5V 的各类手机，采用BL8530C-602RN/RM 时输出

电压为6V，可用于诺基亚手机应急充电。电路**率MOS 管选用低开启电压、低

导通电阻型，如AO3418、IRF7807V 等，电感必须采用低直流电阻型功率电感，选

取范围3.3uH~10uH，直流电阻小于0.1 Ω。电感取值为3.3uH 时有利于提高低工

作电压时的输出能力，虽然轻负载时输出纹波会略大，但对于充电应用应该没有

太大影响。

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1 U1 BL8530C-502RN(SOT23-5)

2 Q1 AO3418 N 沟道MOSFET

3 L1 27uH 低ESR 功率电感，要求直流电阻小与0.1Ω

4 D1 1N5817 肖特基二极管

5 Cin 10uF/47V 电解电容

6 Cout 100uF/16V 钽电容

7 Cp 1000pF 陶瓷电容